・ダイオード                          戻る

 バリコンの代わり探そう。

・バリキャップなるダイオードがあります。昔は容量が小容量の物しか製造できなかった様ですが改良が進み近年AMラジオでも使えます。しかし考えてみれば只のダイオードです。総てのどんなダイオードでも同じような容量の増減を示します。

「一般的に可変容量ダイオードは高価」です。

 そこで私の所持しているトランジスタやダイオードを測りました。旧素子が現在の真空管AMラジオに応用可能ではと思い発表しました。

・このページの最後に測定回路や諸条件などを加えています。参考にして下さい。

 Ge トランジスタを所持している方には朗報です。低い電圧での増減が大きいのです。0V〜0.6V 付近は数値から想像するとショート状態かもしれません(表を参照して下さい)。この領域での使用は困難かも。または電圧の微少変化で容量の増減が激しく扱いにくい領域と言えます。

 表には0.6V〜のデータを記入しています。

 以上の結果から、LH HF帯域での可変容量ダイオードとして、Geトランジスタは最適な素子であるといえます。詳しくはデータを参照して下さい。

※番号をクリックすると表を見る事が出来ます。

 測定結果

Si トランジスタ

番号

Vcbo,Vebo,Ic,Pc,hfe,ft,Cob
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)
2SC245

120V,5V,5A,75W,35, ,

102
0〜28 (C-B) ※6
1290〜400
0〜10 (E-B) ※5
3510〜2300
2SC620

50V,5V,200mA,250mW,90,250MHz,7PF

138B
0〜3(C-B) ※6
30〜0
0〜6(E-B) ※5
40〜10
2SC805

100V,5V,200mA,475mW,100,160MHz,3PF

84B
0〜3(C-B)
20〜0
0〜6(E-B) ※5
40〜10
2SC1106

350V,5V,3A,80W,90, , 

102
0〜30 (C-B)
410〜80
0〜10 (E-B) ※5
1150〜390
2SC1130

300V,6V,3.5A,80W,15,4MHz,150PF

102
0〜30 (C-B)
100〜20
0〜7 ※5
200〜80
2SC3317

500V,  ,5A,40W,10,

TO-220
0〜30 (C-B)
400〜70
0〜14 (E-B) ※5
2220〜900
2SD312

800V,6V,500mA,25W,60,5MHz,

102
0〜30 (C-B)
270〜50
0〜9 (E-B) ※5
1630〜670
2SD718

120V, ,8A,80W,55〜160,12MHz,170PF

SC-65
0〜30 (C-B)
490〜20
0〜10 (E-B) ※5
1870〜810
2SD1273

80V, ,3A,40W,500,30MHz,

TO-220
0〜30 (C-B)
240〜50
0〜9 (E-B) ※5
570〜110
2N3055

60V,7V,15A,115W,120,2.5MHz, 

102
0〜30 (C-B)
290〜60
0〜10 (E-B) ※5
330〜80

Ge トランジスタ

番号

Vcbo,Vebo,Ic,Pc,hfe,ft,Cob
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)
2SA50

-18V,-12V,-24mA,60mW,100,14MHz,10PF

12A
0.6〜6 (C-B) ※6?
30〜0
0.6〜6 (E-B) ※5
20〜0
2SB142

-30V,-12V,-1A,10W,24, ,200PF

103
0.6〜27 (C-B)
1090〜160
0.6〜9 (E-B) ※5
810〜310
2SB338

-60V,-10V,-7A,50W,75,300KHz,

103
0.6〜30(C-B)
2180〜160
0.6〜30(E-B) ※5
1300〜130

ファースト リカバリ ダイオード (フライホイールダイオード)

番号

Vdc,I,Ifsm
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)
GP-30D

200V,3A,125A

DO-201AD
0〜30
120〜20
CO11M-15

 , ,

T0-220
0〜30
230〜40

発光ダイオード

番号

Vdc,I,Ifsm
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)

 , , 

0〜3
20〜40〜30

整流用ダイオード

番号

Vdc,I
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)
S15VB20

 200V,15A

0〜30
200〜80
S25VB60

 600V,25A

0〜30
620〜180

ツエナ−ダイオード 

番号

Vdc,W
形状
電圧小〜大(V)
容量大〜小(PF)
RD7B

7V,1W

0〜6
1790〜1010

 

 

計測した回路は次に示します。

測定条件は以下に示します。

※1、私の所持している容量計は最低スケールが10PFと大きいので、僅か数PFしかない素子の測定は出来ません。表には数PFの表が記入されていますが、これは予測値で当にしないで下さい。

※2、ターゲットがない時、回路全体の容量は230PF。データは測定した結果から230PFをマイナスした値です。

※3、容量計から見た場合ターゲットは10nFと直列されており、本来のターゲットの値はその分計算して消去した値となります。しかし通常の回路は10nFは必ず入りかつ誤差数%でありそのままとした。

※4、ダイオードの測定は逆接続でしか接続しないので、回路は上図しかありません。

※5、トランジスタの場合、コレクタ側とエミッタ側の2つがあります。どちらもダイオードとして使えます。

 エミッタ側で使う場合、ツエナー効果(ブレークオフ領域ともいい絶縁破壊領域)が低い電圧で発生し導通状態に至り、容量コンデンサとして機能しません。この領域からはターゲットではなく10nFのコンデンサを測っているのと同じこととなります。(各表内では点線で示した部分です。又は記入しません)

  ・ベース-コレクタ間の測定結果です。     ・ベース-エミッタ間の測定結果です。 

※5-1、 次の実験もしました。・の場合エミッタがOPENになっています。これをベースに接続する。同様に・の場合もコレクタがOPENで、これをベースに接続して測定しました。少し考えれば分かるのですが、・・の結果と同じになります。

※5-2、 エミッタとコレクタを接続すると、容量は両方を加えた価となり、大きな容量を得る場合有効な手段です。

※6、壊れていると思われるトランジスタです。本来定格電圧までは実際にかけても問題ない筈ですが、ブレークオフ電圧(※5)が余りにも低い電圧で発生しているターゲットです。大凡コレクタ-ベース間が破壊され、ベース-エミッタ間は問題なく使えます。又はツエナー領域以下では問題なく使えます。

 

(実験から、低い電圧でスイッチできる事を考えれば、現在の高度なプロセッサ等もSiよりGeに未来が在るのではと思います。昔は大電力と周波数の関係からSi一色になりました。しかし高周波と低電圧スイッチという概念を突き詰めるとSiよりGeの方が遥かに向いています。0.6Vのヒステリシスが0.2Vになれば、単純に3分の1に電力を下げられます。その分高速に出来ますね。又現在のシリコン成型技術を用いれば、Geとて高速になるでしょう。なぜ「右向け右」に社会はなってしまうのでしょうね。勿体無い。)